Функции: Исследование и контроль магнитной и электронной структуры материалов методом магнитооптической спектроскопии при низких температурах.

Описание: Установка предназначена для исследования магнитооптических эффектов как на просвет, так и на отражение в наноструктурированных системах, а именно: магнитоплазмонных кристаллах, тонкоплёночных структурах и т.д., получения информации об их электронной и магнитной структуре, механизмах рассеяния носителей заряда и природе межзонных переходов.

Основные технические характеристики:

• Диапазон длин волн: 0.23-12 мкм (используются различные источники света: галогеновая лампа или ИК-источник с монохроматором; гелий-неоновые и диодные лазеры)
• Доступные типы модуляции светового пучка: оптико-механическая, фотоупругая, посредством магнитного поля
• Доступные геометрии проведения исследования: пропускание (эффекты Фарадея и Фохта); отражение (меридиональный, экваториальный и полярный эффекты Керра)
• Диапазон магнитных полей (AC и DC): до 300 Э
• Рабочие температуры: 77-500 К