Технические характеристики:

• Разрешение СТМ, АСМ – атомарное (на стандартных образцах Si)
• Диапазон сканирования – XY – 3x3 мкм, Z – 2 мкм
• Диапазон измерения туннельного тока – от 30 пА до 1 мкА
• Диапазон измерения сил – от 10 пН до 10 нН
• Диапазон напряжения смещения на образце – от 0 до ±10 В
• Условия вакуума в аналит. камере – 1·10-8 Па
• Осаждение пленок тугоплав. и легкоплав. металлов in-situ (Au, Ag, Cu, Al, Ti, W и др.)
• Режимы: С-AFM, NC-AFM, STM, STS, multi-mode (до 4 сигналов)
• Система охлаждения образца – до 50 К
• Система ионной очистки – Ar и др. газы
• Давление в вакууме - 10-8 Па
• Разрешение 0.14 нм по горизонтали и вертикали
• Максимальный размер образца - 3 (Ш) х 7,7 (Д) х 0,3 (Т) мм
• Возможность очистки и нагрева образца прямо в камере
• Исследование как органических материалов, так и неорганических

Функции: Предназначен для проведения общенаучных экспериментов в области атомно-силовой микроскопии.

Методики: атомно-силовая микроскопия, сканирующая туннельная микроскопия.

Перечень работ:
1) наблюдение процессов впитывания, фазовых переходов при высоких или низких температурах, и изменения состояния тонких пленок;
2) анализ поверхностей наноструктур и исследование их свойств методом сканирующей туннельной микроскопии;
3) анализ поверхностей наноструктур и исследование их свойств методом атомной силовой микроскопии;

Отв. Лицо: Гойхман Александр Юрьевич, email: AGoikhman@kantiana.ru
Инв. Номер 400111