Ускоритель ионов типа ван де Граффа
Модель: HVEE AN-2500
Производитель: High Voltage Engeneering Europa, Нидерланды
Год выпуска: 2002
Функции: Предназначен для проведения общенаучных экспериментов с использованием ускорителя ионов ван ге Граффа. Применяется для ускорения различных заряженных частиц, ионной имплантации и исследований методом обратного резерфордовского рассеяния. Ускоритель позволяет проводить исследования используя ионы водорода или гелия в диапазоне энергий 0,8-2,0 МэВ.

Методики: методика обратного резерфордовского рассеяния; ионная имплантация.

Перечень работ:
  • применение ионной имплантации для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов;
  • применение ионной имплантации в металлы с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости;
  • исследование материалов методом обратного резерфордовского рассеяния.

Отв. Лицо: Гойхман Александр Юрьевич, email: AGoikhman@kantiana.ru
Инв. П340000793.8845.4а



Технические характеристики
Диапазон масс В ±150 321 а.е.м
Диапазон энергии 200-2000 КэВ для одного вида ионов
Ток пучка диапазон: 800-2000KV 400-800KV 200-400KV 4He+; 11B+; 16O+; 28Si+; 31P+; 40Ar+; 75As+ ≈150μA; ≈40μA; ≈35μA; ≈40μA; ≈40μA; ≈200μA; ≈40μA. примерно 70% от указанных выше значений примерно 50% от указанных выше значений
Пульсация тока пучка ± 10%
Стабильность напряжения на клеммах
Пульсация ±2 KV
Направление ±2 KV

Описание
Установка имеет две линии:
Линия ионной имплантации. При ионной бомбардировке твердых тел, наряду с процессами распыления поверхности, ионно-ионной эмиссии, образования радиационных дефектов и др., происходит проникновение ионов вглубь бомбардируемого объекта (мишени). Наиболее широко ионная имплантация применяется для легирования полупроводников с целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов. Ионную имплантацию в металлы применяют с целью повышения их твердости, износоустойчивости, коррозионной стойкости и т.д.

Линия RBS. Ядерно-физический метод исследования твердых тел, так называемый метод обратного резерфордовского рассеяния, основан на применении физического явления – упругого рассеяния ускоренных частиц на большие углы при их взаимодействии с атомами вещества. Этот метод достаточно давно используется в ядерной физике для определения состава мишеней путем анализа энергетических спектров обратно рассеянных частиц. Аналитические возможности резерфордовского рассеяния легких частиц получили широко применение в различных областях физики и техники, начиная от электронной промышленности и заканчивая исследованиями структурных фазовых переходов в высокотемпературных соединениях.