Установка ионно-плазменного напыления
Производитель: FieldMax, Вайсбейн, РФ
Год выпуска: 2008
Функции: Синтез тонкопленочных слоев, в том числе и наноструктурированных материалов, в частности, с помощью применения методики поочередного осаждения нанослоев различных материалов при различных параметрах синтеза.

Методики: Методика ионно-плазменного осаждения

Перечень работ:
  • получение простых и сложных тонких пленок для разных задач, таких как:
  • отражающие элементы для синхротронных, рентгеновских и лазерных исследований,
  • укрепляющие покрытия,
  • проводящие и не проводящие покрытия для наноэлектроники,
  • биосовместимые покрытия,
  • тонкие пленки различных материалов на сложных поверхностях.

Отв. Лицо: Гойхман Александр Юрьевич, email: AGoikhman@kantiana.ru
Технические характеристики
  • источник положительных ионов Кауфмана диаметром 12 см с ионной оптикой, состоящей из 3х сеток,
  • держатель распыляемых мишеней, рассчитанный на 3 мишени и снабженный поворотным механизмом,
  • планетарная система (вращающаяся) держателей образцов,
  • кварцевый и оптический контроль толщины напыляемых пленок in situ,
  • газовая система, позволяющая применять Ar и Kr в качестве источников плазмы,
  • система подвода дополнительных газов (O2 и N2) для создания пленок оксидов и нитридов,
  • дополнительный бессеточный источник Кауфмана для травления и ассистирования во время осаждения,
  • откачная система, состоящая из спирального форвакуумного насоса и криовакуумного насоса для достижения высокого вакуума порядка 2*10-5 Па.

Особенности процесса осаждения на нашей установке ИПН:

  • большой диапазон энергий ионного пучка (50-1500 кэВ),
  • большой выбор распыляемых материалов (практически любые материалы, которые можно сформировать в твердую плоскую мишень), в настоящий момент в лаборатории создания тонких пленок применяются Ag, Ta, W, Ni, Al, Cu, Ti, Sn, Zr, Fe, Si, FeSi и SiO2 мишени,
  • с помощью активных газов из существующих мишеней можно также напылять оксидные и нитридные пленки,
  • в одном вакуумном процессе может участвовать 3 мишени, то есть, при необходимости, можно составить слоистую структуру, состоящую из максимум 9 различных материалов (не считая возможности получить соединения веществ разной валентности),
  • возможность очистки подложек с помощью дополнительного источника непосредственно в вакуумной камере,
  • возможность применять дополнительный источник и нагрев подложек для изменения кристаллических и адгезивных свойств во время осаждения,
  • толщина получаемых пленок от 1нм,
  • низкая шероховатость получаемых пленок,
  • возможность длительной непрерывной работы источника,
  • площадь осаждения до 200х200 мм., площадь гарантированного равномерного осаждения до 50х50 мм.,
  • возможности контроля in situ толщины пленок вплоть до 2Å,
  • возможность распыления проводящих и не проводящих материалов;
  • применение плазмы Kr позволяет выполнять многослойные структуры, в которых критично отсутствие остаточного Ar в готовом продукте.